Exámenes de Electrónica UB 2016
Los 3 exámenes de Electrónica de la UB (Grado en Ingeniería Informática) de 2016 (Examen final d'avaluació única (Gener 2016) y Examen Final Gener 2016 - Avaluació Única), con 61 problemas resueltos. Entran temas como Lleis de Kirchhoff i components bàsics y Teorema de Thevenin i principi de superposició. Practícalos con corrección al momento, pistas en cada apartado y la solución paso a paso.
Examen final d'avaluació única (Gener 2016) (2016)
Temas del examen: Lleis de Kirchhoff i components bàsics · Teorema de Thevenin i principi de superposició · Díodes: models i circuits d'aplicació · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització · Transformada de Laplace: propietats, pols i zeros · Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace i resposta temporal · Funció de transferència i diagrames de Bode · Filtres passius i actius: tipus, freqüència de tall i cèl·lules de Sallen & Key · Amplificador operacional ideal i configuracions bàsiques
- Ejercicio 1 - Lleis de Kirchhoff i components bàsics · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Preguntes teòriques tipus test sobre la llei d'Ohm en un resistor sotmès a 1 V i sobre el corrent a través d'un condensador amb diferència de potencial de 10 V. - Ejercicio 1 - Principi de superposició · Teorema de Thevenin i principi de superposició
El procediment basat en la linealitat anomenat principi de superposició consisteix a: - Ejercicio 1 - Díodes: models i circuits d'aplicació · Díodes: models i circuits d'aplicació
Apartats d i e sobre díodes. Apartat d: determinar el comportament de la tensió de sortida en un circuit detector de pic amb díode i condensador sota senyal sinusoïdal. Apartat e: determinar el valor… - Ejercicio 1 - Transistor MOSFET: regions de treball i polar… · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
Respon a les preguntes d'opció múltiple sobre transistors MOSFET: f) estat de polarització amb VG = VD, g) característiques de la tensió de llindar VT, i h) dependència de la resistència interna de… - Ejercicio 1 - Transformada de Laplace: propietats, pols i z… · Transformada de Laplace: propietats, pols i zeros
Preguntes sobre la transformada de Laplace: avaluació del graó unitari continu 5 · u(5) i enunciat del principi de linealitat. - Ejercicio 2 - Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace · Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace i resposta temporal
Modelització del circuit equivalent d'un condensador en el domini de Laplace considerant condicions inicials. - Ejercicio 2 - Funció de transferència i diagrames de Bode · Funció de transferència i diagrames de Bode
Qüestionari teòric sobre sistemes lineals: concepte de funció de transferència H(s), càlcul de l'amplitud de sortida a partir d'un guany de 0 dB en el diagrama de Bode, i condició d'estabilitat… - Ejercicio 2 - Filtres passius i actius · Filtres passius i actius: tipus, freqüència de tall i cèl·lules de Sallen & Key
Apartats e i j del qüestionari teòric sobre filtres passius i actius: definició de la freqüència de tall a -3 dB en un filtre passa-baixos i aplicacions de la cèl·lula clàssica de Sallen-Key. - Ejercicio 2 - Amplificador operacional ideal i configuracio… · Amplificador operacional ideal i configuracions bàsiques
Apartats f, g, h i i del qüestionari teòric sobre amplificadors operacionals ideals: condicions en saturació, corrents d'entrada nuls i límits de les tensions d'alimentació en règim lineal. - Problema 1 - Lleis de Kirchhoff · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Problema 1 (apartat a): Plantegeu el sistema d'equacions necessari per determinar totes les variables mitjançant l'ús exclusiu de les lleis de Kirchhoff (sense necessitat de resoldre'l numèricament).… - Problema 1 - Thévenin i superposició · Teorema de Thevenin i principi de superposició
Problema 1 (apartats b i c): Calculeu el circuit equivalent de Thévenin (Vth i Rth) vist des dels terminals A i B cap a la subxarxa situada a la seva esquerra aplicant superposició. Connectant… - Problema 2 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
Per al circuit electrònic amb dos transistors NMOS representat en la figura, determineu totes les tensions de nus i els corrents de polarització. Dades: K'_n(W/L) = 1 mA/V^2 i VT = 2 V. - Problema 3 · Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace i resposta temporal
Problema 3 (1,5 punts). Resposta transitòria d'un circuit RLC mitjançant la transformada de Laplace. Trobeu l'evolució temporal de la tensió vo(t) per a tot t > 0 a partir de les condicions inicials,…
Examen Final Gener 2016 - Avaluació Única (2016)
Temas del examen: Lleis de Kirchhoff i components bàsics · Teorema de Thevenin i principi de superposició · Díodes: models i circuits d'aplicació · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització · Transformada de Laplace: propietats, pols i zeros · Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace i resposta temporal · Funció de transferència i diagrames de Bode · Filtres passius i actius: tipus, freqüència de tall i cèl·lules de Sallen & Key · Amplificador operacional ideal i configuracions bàsiques
- Pregunta 1 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
La formulació física de la llei d'Ohm estableix que: - Pregunta 2 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Respecte a les característiques d'un condensador, podem afirmar que: - Pregunta 3 · Teorema de Thevenin i principi de superposició
Pregunta sobre la utilitat i aplicació del principi de superposició en circuits elèctrics. - Pregunta 4 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Pregunta 4: Quina funció desenvolupa el símbol de presa de terra en el circuit següent format per una font alterna, un díode i un condensador en una sola malla? - Pregunta 5 · Díodes: models i circuits d'aplicació
Pregunta 5: Determineu el valor de la tensió de sortida Vo en el circuit donat si Vi = 10 V i la tensió de llindar del díode és Vγ = 0,7 V. - Pregunta 6 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
En un transistor MOSFET de canal N (NMOS) que opera en la regió de saturació, quina condició s'ha de complir necessàriament? - Pregunta 7 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
La tensió entre drenador i font $V_{DS}$ que delimita la transició entre la zona de tríode (òhmica) i la zona de saturació en un transistor MOSFET... - Pregunta 8 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
La resistència efectiva del canal conductor d'un transistor NMOS quan aquest opera en la zona de tríode... - Pregunta 9 · Transformada de Laplace: propietats, pols i zeros
Gràcies a la propietat fonamental de linealitat de la transformada de Laplace, es pot afirmar que: - Pregunta 10 · Transformada de Laplace: propietats, pols i zeros
A l'espai de Laplace, els pols d'una funció de transferència o expressió racional F(s) es defineixen com a arrels del denominador. - Pregunta 11 · Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace i resposta temporal
Per tal de determinar la transformació completa d'un condensador a l'espai de Laplace tenint en compte el seu estat previ, cal conèixer obligatòriament la capacitat C i la tensió inicial v(0). - Pregunta 12 · Funció de transferència i diagrames de Bode
La funció de transferència d'un sistema o circuit lineal s'obté a partir del quocient entre les transformades de la sortida i de l'entrada suposant condicions inicials nul·les. - Pregunta 13 · Funció de transferència i diagrames de Bode
Si la corba de mòdul d'un diagrama de Bode indica un guany de 40 dB, quina és l'amplitud de sortida per a una entrada d'1 V? - Pregunta 14 · Funció de transferència i diagrames de Bode
Tenim un circuit la funció de transferència del qual posseeix dos pols amb part imaginària negativa. Podem assegurar que el circuit és estable? - Pregunta 15 · Filtres passius i actius: tipus, freqüència de tall i cèl·lules de Sallen & Key
En un filtre passa-baixos, la freqüència de tall es defineix de manera estàndard com: - Pregunta 16 · Amplificador operacional ideal i configuracions bàsiques
Pel que fa als terminals d'entrada inversora (−) i no inversora (+) d'un amplificador operacional considerat ideal, sabem amb certesa que: - Pregunta 17 · Amplificador operacional ideal i configuracions bàsiques
Un amplificador operacional que funciona en zona lineal presenta a la seva sortida un valor de tensió mesurat de 15 V. Tenint això en compte, què podem afirmar sobre la seva polarització? - Pregunta 18 · Filtres passius i actius: tipus, freqüència de tall i cèl·lules de Sallen & Key
Pregunta sobre les capacitats de les topologies de filtre actiu de Sallen & Key. - Pregunta 19 · Filtres passius i actius: tipus, freqüència de tall i cèl·lules de Sallen & Key
Pregunta sobre l'avantatge clau dels filtres actius enfront dels passius. - Pregunta 20 · Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace i resposta temporal
Pregunta sobre la validesa de l'anàlisi mitjançant la transformada de Laplace en circuits amb amplificadors operacionals. - Problema P1 - Lleis de Kirchhoff · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Plantegeu el sistema d'equacions necessari i suficient per resoldre totes les variables del circuit de la figura aplicant exclusivament les lleis de Kirchhoff (KCL i KVL), i indiqueu l'expressió… - Problema P1 - Thévenin i superposició · Teorema de Thevenin i principi de superposició
Obtingueu l'equivalent de Thévenin (Rth i Vth) entre A i B per a la subxarxa de l'esquerra usant superposició, i calculeu posteriorment Vo connectant la branca restant. - Problema P2 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
Càlcul del punt d'operació (ID) i de les tensions de porta, font i drenador (VG, VS, VD) d'un circuit amb transistor NMOS polaritzat amb font de 15 V i línia de -15 V. - Problema P3 · Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace i resposta temporal
Trobeu l'evolució temporal de la tensió de sortida vo(t) per al circuit donat mitjançant la transformada de Laplace amb entrada esglaó unitari i condicions inicials nul·les, calculant prèviament…
Examen parcial Novembre 2016 (2016)
Temas del examen: Lleis de Kirchhoff i components bàsics · Teorema de Thevenin i principi de superposició · Díodes: models i circuits d'aplicació · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
- Pregunta 1 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
De quines magnituds depèn el valor i el sentit del corrent electrònic? - Pregunta 2 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Si en analitzar un circuit elèctric s'obté com a resultat una intensitat de corrent de valor negatiu, què indica? - Pregunta 3 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Què postula la llei de tensions o de malles de Kirchhoff? - Pregunta 4 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Quina és l'afirmació que descriu la llei d'Ohm? - Pregunta 5 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Indiqueu quina propietat caracteritza una inductància o bobina ideal. - Pregunta 6 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Quina afirmació és correcta pel que fa a un condensador ideal? - Pregunta 7 · Díodes: models i circuits d'aplicació
Determinar el corrent instantani màxim que circularà pel circuit d'una malla formada per una font de tensió sinusoïdal d'amplitud 2 V, un díode amb tensió llindar de 0,7 V i un condensador C. - Pregunta 8 · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
En el circuit següent, atenent als sentits de referència assignats als corrents, quina relació és correcta? - Pregunta 9 · Teorema de Thevenin i principi de superposició
Per determinar la resistència de Thévenin d'un circuit lineal resistiu amb fonts independents, quin procediment cal seguir? - Pregunta 10 · Díodes: models i circuits d'aplicació
Quina de les propietats següents es verifica en el comportament físic d'un díode semiconductor de junció? - Pregunta 11 · Díodes: models i circuits d'aplicació
Quan un díode es troba operant en polarització directa, quin comportament de tensió i corrent presenta? - Pregunta 12 · Díodes: models i circuits d'aplicació
En el model lineal per trams (per segments) d'un díode de silici, com es modelitza el seu comportament? - Pregunta 13 · Díodes: models i circuits d'aplicació
Quina funció desenvolupa el circuit detector de pic de la figura amb díode i condensador, assumint que Vi és un senyal sinusoïdal d'amplitud superior a V_gamma i prenent la sortida al condensador? - Pregunta 14 · Díodes: models i circuits d'aplicació
En el següent circuit retallador amb una font de 5 V en sèrie amb el díode, determinar la caiguda de tensió a la resistència R quan Vi = 5 V. - Pregunta 15 · Díodes: models i circuits d'aplicació
Pregunta de test sobre el comportament del corrent a la resistència de càrrega en un rectificador d'ona completa convencional. - Pregunta 16 · Díodes: models i circuits d'aplicació
Pregunta 16: La gràfica adjunta representa de manera aproximada la corba I - V d'un díode real. Indiqueu quina de les afirmacions és correcta. - Pregunta 17 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
Pregunta 17: Si en un transistor MOSFET de canal N la tensió del terminal de font és estrictament superior a la de porta, en quin estat es troba el dispositiu? - Pregunta 18 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
El valor de la tensió drenador-font V_DS que estableix la frontera entre la zona de tríode i la de saturació d'un transistor MOSFET depèn del valor de V_GS i de la tensió llindar V_T. - Pregunta 19 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
Pel que fa al transistor NMOS connectat amb porta i drenador units (connexió díode), determinar quina afirmació sobre el seu règim d'operació és correcta. - Pregunta 20 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
Determinar de quines tensions depèn la resistència de canal d'un transistor NMOS quan opera en la regió de tríode lineal (tríode profund). - Problema 1 - Lleis de Kirchhoff · Lleis de Kirchhoff i components bàsics
Problema 1 (apartat a): Plantejar el sistema d'equacions necessari per resoldre el circuit aplicant de forma directa les lleis de Kirchhoff (KCL i KVL) i indicar l'expressió de la tensió de sortida… - Problema 1 - Thévenin i superposició · Teorema de Thevenin i principi de superposició
Problema 1 (apartats b i c): Determinar l'equivalent Thévenin (Rth i Vth mitjançant superposició) de la subxarxa a l'esquerra dels punts A i B, i obtenir l'expressió de la tensió de sortida Vo. - Problema 2 · Díodes: models i circuits d'aplicació
Problema 2: Anàlisi i resolució d'un circuit amb dues fonts de tensió contínua (V1 = 2 V, V2 = 10 V) i dos díodes reals amb model ideal (V_gamma = 0,7 V). Raonar l'estat de conducció previsible de D1… - Problema 3 · Transistor MOSFET: regions de treball i polarització
Per al circuit amplificador amb transistor NMOS, determineu el punt de polarització en contínua (estat d'operació, corrent de drenador ID i tensions en els terminals VGS i VDS).
También puedes estudiar por temas
Practica un tema con ejercicios de los exámenes de todos los años, mezclados.
- Funció de transferència i diagrames de Bode · 24 problemas · 75 % de que salga
- Amplificador operacional ideal i configuracions bàsiques · 18 problemas · 75 % de que salga
- Anàlisi de circuits a l'espai de Laplace i resposta temporal · 16 problemas · 75 % de que salga
- Transformada de Laplace: propietats, pols i zeros · 14 problemas · 75 % de que salga
- Filtres passius i actius: tipus, freqüència de tall i cèl·lules de Sallen & Key · 10 problemas · 70 % de que salga
- Lleis de Kirchhoff i components bàsics · 19 problemas · 60 % de que salga