Ejercicios de Transistor MOSFET: regions de treball i polarització

15 ejercicios de Transistor MOSFET: regions de treball i polarització que han salido en los exámenes de Electrónica de la UB…

Ejercicio 1 - Transistor MOSFET: regions de treball i polar… · 2016

Respon a les preguntes d'opció múltiple sobre transistors MOSFET: f) estat de polarització amb VG = VD, g) característiques de la tensió de llindar VT, i h) dependència de la resistència interna de canal en tríode lineal.

Problema 2 · 2016

Per al circuit electrònic amb dos transistors NMOS representat en la figura, determineu totes les tensions de nus i els corrents de polarització. Dades: K'_n(W/L) = 1 mA/V^2 i VT = 2 V.

Pregunta 6 · 2016

En un transistor MOSFET de canal N (NMOS) que opera en la regió de saturació, quina condició s'ha de complir necessàriament?

Pregunta 7 · 2016

La tensió entre drenador i font $V_{DS}$ que delimita la transició entre la zona de tríode (òhmica) i la zona de saturació en un transistor MOSFET...

Pregunta 8 · 2016

La resistència efectiva del canal conductor d'un transistor NMOS quan aquest opera en la zona de tríode...

Problema P2 · 2016

Càlcul del punt d'operació (ID) i de les tensions de porta, font i drenador (VG, VS, VD) d'un circuit amb transistor NMOS polaritzat amb font de 15 V i línia de -15 V.

Pregunta 17 · 2016

Pregunta 17: Si en un transistor MOSFET de canal N la tensió del terminal de font és estrictament superior a la de porta, en quin estat es troba el dispositiu?

Pregunta 18 · 2016

El valor de la tensió drenador-font V_DS que estableix la frontera entre la zona de tríode i la de saturació d'un transistor MOSFET depèn del valor de V_GS i de la tensió llindar V_T.

Pregunta 19 · 2016

Pel que fa al transistor NMOS connectat amb porta i drenador units (connexió díode), determinar quina afirmació sobre el seu règim d'operació és correcta.

Pregunta 20 · 2016

Determinar de quines tensions depèn la resistència de canal d'un transistor NMOS quan opera en la regió de tríode lineal (tríode profund).

Problema 3 · 2016

Per al circuit amplificador amb transistor NMOS, determineu el punt de polarització en contínua (estat d'operació, corrent de drenador ID i tensions en els terminals VGS i VDS).

Pregunta 6 · 2015

Si en un transistor NMOS unim la porta i el drenador de manera que VG = VD, determinar l'estat de treball del transistor en funció de la conducció.

Pregunta 7 · 2015

Determinar quina afirmació és correcta respecte a la tensió llindar VT d'un transistor de tipus MOSFET.

Pregunta 8 · 2015

Identificar el comportament de la resistència interna de canal en regió lineal per a un transistor NMOS en funció de VDS i VGS.

Pregunta 9 · 2015

Pregunta 9: La tecnologia de circuits lògics CMOS es caracteritza per fer ús de: a. Díodes d'unió p-n... b. Estructures mixtes... c. Xarxes formades per la combinació complementària de transistors NMOS i PMOS. d. Transistors NMOS interconnectats en antiparal·lel.

Otros temas de Electrónica