Pregunta 8 · Electrónica UB 2016

Tema: Transistor MOSFET: regions de treball i polarització · Del examen Examen Final Gener 2016 - Avaluació Única (2016)

Enunciado

Pregunta 8 (0,15 punts). Resistència de canal NMOS en zona de tríode

La resistència efectiva del canal conductor d'un transistor NMOS quan aquest opera en la zona de tríode...

Enunciado: Pregunta 8 · Electrónica UB 2016

Solución

Según los criterios oficiales de corrección

Pregunta 8 (0,15 punts). Resistència de canal NMOS en zona de tríode

Solución: c. depèn conjuntament de VGSV_{GS} i de VDSV_{DS}.

La explicación paso a paso, hecha con IA, es Premium. Premium

Resuélvelo aquí mismo: corrección automática, pistas y solución paso a paso.

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