Pregunta 7 · Electrónica UB 2016

Tema: Transistor MOSFET: regions de treball i polarització · Del examen Examen Final Gener 2016 - Avaluació Única (2016)

Enunciado

Pregunta 7 (0,15 punts). Tensió Vds límit tríode-saturació en MOSFET

La tensió entre drenador i font VDSV_{DS} que delimita la transició entre la zona de tríode (òhmica) i la zona de saturació en un transistor MOSFET:

Enunciado: Pregunta 7 · Electrónica UB 2016

Solución

Según los criterios oficiales de corrección

Pregunta 7 (0,15 punts). Tensió Vds límit tríode-saturació en MOSFET

Solución: c. depèn de la tensió aplicada entre porta i font (VGSV_{GS}).

La explicación paso a paso, hecha con IA, es Premium. Premium

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