Ejercicio 1 - Transistor MOSFET: regions de treball i polar… · Electrónica UB 2016
Tema: Transistor MOSFET: regions de treball i polarització · Del examen Examen final d'avaluació única (Gener 2016) (2016)
Enunciado
Preguntes 1-10. Qüestionari teòric (Part I)
Trieu l'única opció vàlida per a cadascuna de les següents deu qüestions:
f.
En un transistor NMOS on el potencial de porta és exactament igual al de drenador (), es pot garantir que:
.
g.
La tensió de llindar en un dispositiu MOSFET:
.
h.
La resistència interna de canal en un transistor NMOS polaritzat en tríode lineal:
.
Solución
Según los criterios oficiales de corrección
f. En un transistor NMOS on el potencial de porta és exactament igual al de drenador (VG = VD), es pot garantir que:
Solución: 4. mai no es podrà situar a la regió de tríode.
g. La tensió de llindar VT en un dispositiu MOSFET:
Solución: 2. depèn intrínsecament de les característiques físiques de fabricació del component.
h. La resistència interna de canal en un transistor NMOS polaritzat en tríode lineal:
Solución: 1. és independent de VDS (constant amb aquesta), però és funció de VGS.
La explicación paso a paso, hecha con IA, es Premium. Premium
Resuélvelo aquí mismo: corrección automática, pistas y solución paso a paso.