Pregunta 6 · Electrónica UB 2015

Tema: Transistor MOSFET: regions de treball i polarització · Del examen Examen final avaluació única gener 2015 (2015)

Enunciado

Pregunta 6 [0,15 punts]. Transistor NMOS amb Vg = Vd

Si en un transistor NMOS unim la porta i el drenador de manera que VG=VDV_G = V_D, podem afirmar amb certesa que:

Enunciado: Pregunta 6 · Electrónica UB 2015

Solución

Según los criterios oficiales de corrección

Si en un transistor NMOS unim la porta i el drenador de manera que VG = VD, podem afirmar amb certesa que:

Solución: a) El transistor estarà en saturació (suposant que estigui conduint). / e) Cap de les altres respostes és completament correcta sense conèixer l'estat de conducció.

La explicación paso a paso, hecha con IA, es Premium. Premium

Resuélvelo aquí mismo: corrección automática, pistas y solución paso a paso.

‹ Problema 3 · 2016 · Pregunta 7 · 2015 ›

Más ejercicios de Transistor MOSFET: regions de treball i polarització