Pregunta 8 · Electrónica UB 2015
Tema: Transistor MOSFET: regions de treball i polarització · Del examen Examen final avaluació única gener 2015 (2015)
Enunciado
Pregunta 8 [0,15 punts]. Resistència de canal en regió lineal per a un NMOS
A la zona lineal (òhmica o tríode profunda) d'un NMOS, la resistència interna del canal:
Solución
Según los criterios oficiales de corrección
A la zona lineal (òhmica o tríode profunda) d'un NMOS, la resistència interna del canal:
Solución: a. Es manté pràcticament constant respecte a VDS, però varia amb la tensió de porta VGS.
La explicación paso a paso, hecha con IA, es Premium. Premium
Resuélvelo aquí mismo: corrección automática, pistas y solución paso a paso.
‹ Pregunta 7 · 2015 · Pregunta 9 · 2015 ›