Examen de Física URV 2019 · Segon Parcial (Gener 2019)

Examen de Física de la URV (Grado en Ingeniería Informática) 2019, Segon Parcial (Gener 2019): 4 problemas con solución. Temas: Règim transitori RC i RL.

Temas del examen: Règim transitori RC i RL · Corrent altern: impedàncies, fasors i potència · Conducció, semiconductors i unió p-n

Pregunta 1 · Règim transitori RC i RL

Pregunta 1 (10 punts). Règim transitori en circuit RL

Considereu el circuit de la figura, format per una inductància LL en sèrie amb un resistor de resistència RR. A l'instant t=0 st = 0\text{ s}, l'interruptor SS es connecta de manera que la branca R−LR - L queda alimentada per una font real de tensió amb força electromotriu V0V_0 i resistència interna rr.

a)

Trobeu la constant de temps τ\tau del circuit i deduïu les expressions analítiques de la intensitat de corrent que travessa la bobina, iL(t)i_L(t), i de la diferència de potencial en els seus extrems, vL(t)v_L(t), per a aquesta primera fase de connexió. [4 punts]

b)

Amb els valors numèrics R=100 ΩR = 100\ \Omega, L=3 HL = 3\text{ H}, V0=100 VV_0 = 100\text{ V} i r=50 Ωr = 50\ \Omega, determineu el corrent iLi_L i la tensió vLv_L quan han transcorregut t=30 mst = 30\text{ ms}. [2 punts]

c)

En l'instant t=2 st = 2\text{ s}, l'interruptor SS commuta cap a la segona posició, aïllant la font i substituint-la per un curtcircuit. Calculeu la nova constant de temps del circuit en aquesta descàrrega i determineu el corrent iL(t)i_L(t) i la caiguda de tensió vL(t)v_L(t) transcorreguts 30 ms30\text{ ms} des del moment de la desconnexió. Justifiqueu detalladament les condicions inicials emprades. [4 punts]

Pregunta 2 - Corrent altern: impedàncies i fasors · Corrent altern: impedàncies, fasors i potència

Circuit RLC en règim altern sinusoidal

En el circuit de corrent altern de la figura, el generador lliura una tensió instantània donada per vab(t)=V0cos⁡(ωt)v_{ab}(t) = V_0 \cos(\omega t), sent V0V_0 l'amplitud i ω\omega la pulsació angular.

Dades del circuit: R=400 ΩR = 400\ \Omega, L=4 mHL = 4\ \text{mH}, C=50 nFC = 50\ \text{nF}, V0=24 VV_0 = 24\ \text{V} i ω=100⋅103 rad/s\omega = 100 \cdot 10^3\ \text{rad/s}.

a)

Obtingueu l'expressió analítica simplificada de la impedància equivalent connectada entre els terminals del generador (ZabZ_{ab}), indicant clarament la part real (ZRZ_R) i la part imaginària (ZIZ_I).

b)

Calculeu l'amplitud i el desfase del corrent que circula pel resistor, iR(t)i_R(t), així com de la tensió als extrems del condensador, vC(t)v_C(t).

Pregunta 2 - Potència en corrent altern · Corrent altern: impedàncies, fasors i potència

Circuit RLC en règim altern sinusoidal

En el circuit de corrent altern de la figura, el generador lliura una tensió instantània donada per vab(t)=V0cos⁡(ωt)v_{ab}(t) = V_0 \cos(\omega t), sent V0V_0 l'amplitud i ω\omega la pulsació angular.

Dades del circuit: R=400 ΩR = 400\ \Omega, L=4 mHL = 4\ \text{mH}, C=50 nFC = 50\ \text{nF}, V0=24 VV_0 = 24\ \text{V} i ω=100⋅103 rad/s\omega = 100 \cdot 10^3\ \text{rad/s}.

c)

Determineu el factor de potència del circuit i la potència mitjana activa consumida. (3 punts)

Pregunta 3 · Conducció, semiconductors i unió p-n

Pregunta 3 (10 punts). Silici dopat i fotoconductivitat

Una làmina plana de silici és sotmesa a un dopatge uniforme amb àtoms d'arsènic (As), assolint una concentració d'impureses donadores de ND=1014 cm−3N_D = 10^{14}\text{ cm}^{-3}.

Constants físiques:

• Massa en repòs de l'electró: m0=9,1⋅10−31 kgm_0 = 9{,}1 \cdot 10^{-31}\text{ kg}; masses efectives: mn=0,35m0m_n = 0{,}35m_0, mp=0,62m0m_p = 0{,}62m_0.

• Constant de Planck: h=6,63⋅10−34 J⋅s=4,14⋅10−15 eV⋅sh = 6{,}63 \cdot 10^{-34}\text{ J}\cdot\text{s} = 4{,}14 \cdot 10^{-15}\text{ eV}\cdot\text{s}.

• Constant de Boltzmann: kB=1,38⋅10−23 J/K=8,63⋅10−5 eV/Kk_B = 1{,}38 \cdot 10^{-23}\text{ J/K} = 8{,}63 \cdot 10^{-5}\text{ eV/K}.

• Banda prohibida del Si a 300 K: Eg=1,14 eVE_g = 1{,}14\text{ eV}.

• Càrrega elemental: q=1,6⋅10−19 Cq = 1{,}6 \cdot 10^{-19}\text{ C}.

a)

A temperatura ambient (T=300 KT = 300\text{ K}), determineu la densitat d'electrons lliures (nn) i de forats (pp), així com la desviació del nivell de Fermi respecte al nivell intrínsec, és a dir, EF−EF,iE_F - E_{F,i} en electronvolts. [4 punts]

b)

Prenent com a valors de mobilitat electrònica μn=1250 cm2/(V⋅s)\mu_n = 1250\text{ cm}^2/(\text{V}\cdot\text{s}) i de mobilitat de forats μp=375 cm2/(V⋅s)\mu_p = 375\text{ cm}^2/(\text{V}\cdot\text{s}), avalueu la conductivitat elèctrica i la resistivitat del material resultant a les fosques. [4 punts]

c)

Si s'irradia la mostra amb un feix lluminós constant que produeix una taxa de generació fotònica de parells electró-forat GL=3⋅1018 cm−3s−1G_L = 3 \cdot 10^{18}\text{ cm}^{-3}\text{s}^{-1}, trobeu el nou valor assolit per la conductivitat. Considereu els temps de vida mitjana dels portadors: τn=7 μs\tau_n = 7\text{ }\mu\text{s} i τp=4 μs\tau_p = 4\text{ }\mu\text{s}. [2 punts]

También puedes estudiar por temas

Practica un tema con ejercicios de los exámenes de todos los años, mezclados.

Ver los 6 temas

Otras convocatorias de 2019

Examen de Segona Convocatòria (Gener 2019) (2019)