Ejercicios de Conducció, semiconductors i unió p-n

4 ejercicios de Conducció, semiconductors i unió p-n que han salido en los exámenes de Física de la URV (Grado en Ingeniería Informática) 2019-2025.

Pregunta 3. Unió p-n simètrica i ZCE · 2025

Calculeu la concentració de dopants N d'una unió p-n simètrica amb js = 4 fA/cm2, i a partir d'aquest valor el potencial de contacte Vbi i l'amplada de la ZCE W.

Problema 3 · 2019

Conducció elèctrica en un fil de platí cilíndric de diàmetre 0,7 mm i corrent màxim 0,25 A. Es demana calcular: a) Resistència òhmica d'un tram de 20 cm, b) Camp elèctric a l'interior del metall, c) Ritme de pèrdua energètica en forma de calor (efecte Joule), d) Mobilitat dels electrons, e) Temps de trànsit d'un…

Problema 5 · 2019

Propietats electròniques d'un semiconductor: avaluació de masses efectives, concentracions en equilibri tèrmic, nivell de Fermi i dopatge necessari per augmentar la conductivitat.

Pregunta 3 · 2019

Problema de física de semiconductors: làmina de Si dopada amb arsènic (ND = 10^14 cm^-3). Es demana: a) la densitat d'electrons (n), de forats (p) i la posició del nivell de Fermi respecte a l'intrínsec a 300 K; b) la conductivitat i la resistivitat a les fosques; c) el nou valor de conductivitat sota il·luminació amb…

Otros temas de Física